Infineon Technologies IRF7342PBF MOSFET 2 P-Kanal 2W SOIC-8

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  • Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF7342PBF, International Rectifier, IRF7342PBF-ND, FET

Art.-Nr.:
S82002
Hersteller-Nr.:
IRF7342PBF
EAN:
2050003202831

Technische Daten

Typ:
IRF7342PBF
Gehäuse:
SOIC-8
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
3.4 A
U:
55 V
Ptot:
2 W
RDS(on):
105 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
38 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
690 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
55 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
2
Produkt-Art:
MOSFET

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