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Infineon Technologies Hallsensor TLE 4945L 3.5 - 24 V/DC Messbereich: -6 - +10 mT PSSO-3-2 Löten

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Infineon Technologies Hallsensor TLE 4945L 3.5 - 24 V/DC Messbereich: -6 - +10 mT PSSO-3-2 Löten

Der TLE 49XX erkennt Magnetfelder und ist geeignet für Magnetschranken oder Positionserkennungsschalter. Er wurde für Anwe...

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Infineon Technologies BCR402R PMIC - LED-Treiber Linear SOT-143R-4 Oberflächenmontage

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Infineon Technologies BCR402R PMIC - LED-Treiber Linear SOT-143R-4 Oberflächenmontage

Integrierte Schaltkreise führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche Ihne...

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut

NPN-Transistor (8 mm-Gurt).

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Infineon Technologies Kapazitäts-Diode BB535 30V 20mA Einzeln SOD-323 Tape cut

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Infineon Technologies Kapazitäts-Diode BB535 30V 20mA Einzeln SOD-323 Tape cut

Kapazitäts-Diode (8 mm-Gurt) zur Bewerkstellung von Frequenzänderungen in Schwingkreisen, Filtern oder Oszillatoren.

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Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333W TO-220AB

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Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333W TO-220AB

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Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150W TO-220

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Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150W TO-220

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. ...

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Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68W TO-220

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Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68W TO-220

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Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375W TO-220AB

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Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375W TO-220AB

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Infineon Technologies IRLB8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 140W TO-220AB

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Infineon Technologies IRLB8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 140W TO-220AB

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Infineon Technologies KTY 11-5 Temperatursensor -50 bis +150°C 1970Ω TO-92 mini radial bedrahtet

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Infineon Technologies KTY 11-5 Temperatursensor -50 bis +150°C 1970Ω TO-92 mini radial bedrahtet

Vielseitiger und langlebiger Temperatursensor auf resistiver Basis für Mess- und Regel-Anwendungen.

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Infineon Technologies IRF540ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 92W TO-220AB

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Infineon Technologies IRF540ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 92W TO-220AB

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut

NPN-Transistor (8 mm-Gurt).

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Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540mW SOT-23

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Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540mW SOT-23

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Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200W TO-220AB

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Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200W TO-220AB

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Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130W TO-220

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Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130W TO-220

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. ...

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Infineon Technologies IRFR9024NPBF MOSFET 1 P-Kanal 38W DPAK

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Infineon Technologies Hallsensor TLE 4905L 3.5 - 24 V/DC Messbereich: +7 - +18 mT PSSO-3-2 Löten

Der TLE 49XX erkennt Magnetfelder und ist geeignet für Magnetschranken oder Positionserkennungsschalter. Er wurde für Anwe...

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Infineon Technologies Hallsensor TLE 4935L 3.5 - 24 V/DC Messbereich: +10 - +20 mT PSSO-3-2 Löten

Der TLE 49XX erkennt Magnetfelder und ist geeignet für Magnetschranken oder Positionserkennungsschalter. Er wurde für Anwe...

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC849C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

NPN-Transistor (8 mm-Gurt)

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV26 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington Tape cut

PNP-Darlington-Transistor (8 mm-Gurt).

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Infineon Technologies BSS138 MOSFET 1 N-Kanal 360mW SOT-23

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Infineon Technologies PIN-Diode

PIN-Diode 8 mm-Gurt.

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PNP-Transistor

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PIN-Diode 8 mm-Gurt.

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCW60D SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut

NPN-Transistor (8 mm-Gurt) .

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Infineon Technologies BF998 MOSFET 1 N-Kanal 200mW TO-253-4

MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .

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PNP-Transistor

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MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .

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Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360mW TO-236-3

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung BCR133 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - vorgespannt Tape cut

NPN-Digital-Transistor

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Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360mW TO-236-3

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NPN-Transistor (8 mm-Gurt)

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Schaltdiode

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Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8W TO-261-4

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