Infineon Technologies IRFS3607PBF MOSFET 1 N-Kanal 140W D2PAK

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFS3607PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

Art.-Nr.:
Q89977
Hersteller-Nr.:
IRFS3607PBF
EAN:
2050001541529

Technische Daten

Typ:
IRFS3607PBF
Gehäuse:
D2PAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
80 A
U:
75 V
Ptot:
140 W
RDS(on):
9 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
46 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
100 µA
Q(G):
84 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
3070 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
50 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
75 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Produkt-Art:
MOSFET
Marke:
Infineon Technologies

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