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Infineon Technologies IRF4104PBF MOSFET 1 N-Kanal 140W TO-220AB

Infineon Technologies IRF4104PBF MOSFET 1 N-Kanal 140W TO-220AB
  • Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies, IRF4104PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)
Art.-Nr.:
Q87665
Hersteller-Nr.:
IRF4104PBF
EAN:
2050001539953

Technische Daten

Typ:
IRF4104PBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
75 A
U:
40 V
Ptot:
140 W
RDS(on):
5.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
100 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
3000 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
40 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Produkt-Art:
MOSFET

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