Infineon Technologies IRFB9N65APBF MOSFET 1 N-Kanal 167W TO-220

Infineon Technologies IRFB9N65APBF MOSFET 1 N-Kanal 167W TO-220
  • Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Bewertung schreiben
  • Preisalarm
    voelkner - direkt günstiger
    Es ist ein Fehler aufgetreten.
    Preisalarm
    Benachrichtigung erhalten, wenn folgender Preis erreicht ist: Benachrichtigung soll aktiv sein für:
    Benachrichtigung per E-Mail senden an: Bitte geben Sie eine gültige E-Mail-Adresse an.
    Preisalarm ist aktiviert! Wir schicken Ihnen eine E-Mail, sobald Ihr Wunschpreis erreicht wurde.
  • Merken
Infineon Technologies IRFB9N65APBF MOSFET 1 N-Kanal 167W TO-220 Abbildung ähnlich
Infineon Technologies IRFB9N65APBF MOSFET 1 N-Kanal 167W TO-220
momentan nicht bestellbar
Es ist ein Fehler aufgetreten.
Benachrichtigung soll aktiv sein für: Benachrichtigung per E-Mail senden an:
Bitte geben Sie eine gültige E-Mail-Adresse an.
Benachrichtigung ist aktiviert!
Wir schicken Ihnen eine E-Mail, sobald der Artikel wieder verfügbar ist.
Hinweis: Sollte der Artikel innerhalb Ihres gewünschten Zeitraumes nicht wieder verfügbar sein, wird Ihre Anfrage gelöscht.
momentan nicht bestellbar
Es ist ein Fehler aufgetreten.
Benachrichtigung soll aktiv sein für: Benachrichtigung per E-Mail senden an:
Bitte geben Sie eine gültige E-Mail-Adresse an.
Benachrichtigung ist aktiviert!
Wir schicken Ihnen eine E-Mail, sobald der Artikel wieder verfügbar ist.
Hinweis: Sollte der Artikel innerhalb Ihres gewünschten Zeitraumes nicht wieder verfügbar sein, wird Ihre Anfrage gelöscht.

Alles auf einen Klick

Produktdaten

Beschreibung

Keine Beschreibung vorhanden.

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, IRFB9N65APBF, International Rectifier, IRFB9N65APBF-ND, FET

Art.-Nr.:
Q85382
Hersteller-Nr.:
IRFB9N65APBF
EAN:
2050000042218

Technische Daten

Typ:
IRFB9N65APBF
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
8.5 A
Ptot:
167 W
RDS(on):
930 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
5.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
48 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1417 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
650 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Produkt-Art:
MOSFET
Marke:
Infineon Technologies

Vom Hersteller bereitgestellte Informationen

Bewertungen

Es liegen noch keine Bewertungen vor.
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger

Wir benötigen für einzelne Datennutzungen Ihre Einwilligung, um Ihnen unter anderem Informationen zu Ihren Interessen anzuzeigen. Mit Klick auf "OK" geben Sie Ihre Einwilligung dazu. Ausführliche Informationen erhalten Sie in unserer Datenschutzerklärung.

Sie haben jederzeit die Möglichkeit Ihrer Zustimmung zu widersprechen. Ich lehne ab.

OK, einverstanden.