Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360mW TO-236-3

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  • Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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Stichwörter

Infineon Technologies, BSS84P, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)
Art.-Nr.:
Q32787
Hersteller-Nr.:
BSS84P
EAN:
2050000020520

Technische Daten

Typ:
BSS84P
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
170 mA
U:
60 V
Ptot:
360 mW
RDS(on):
8 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
170 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
20 µA
Q(G):
1.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
19 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
SIPMOS®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Produkt-Art:
MOSFET

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