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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung BCR133 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - vorgespannt Tape cut

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  • Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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Produktdaten

Beschreibung

NPN-Digital-Transistor

Hinweise:
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Stichwörter

Infineon Technologies, BCR133, BCR133INCT-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Datenblatt (Version 1)
Art.-Nr.:
Q32731
Hersteller-Nr.:
BCR133
EAN:
2050000020490

Technische Daten

Verpackungsart:
Tape cut, re-reeling option
Typ:
BCR133
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN - vorgespannt
IC:
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
VCE Sättigung (max.):
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
100 nA
Ptot:
200 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
130 MHz
Widerstand R(1):
10 kΩ
Widerstand R(2):
10 kΩ
Montageart:
Oberflächenmontage
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

Vom Hersteller bereitgestellte Informationen

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