Beschreibung
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform. Technische Daten: - Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm - Empfindlichkeit: 0,8 … 5,0 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5 V - Öffnungswinkel: k. A. - VCE max: 30 V - VEC max: 5 V - IC max: 20 mA - IC off: 100 nA @ Vce=20 V - tr: 15 µsec - tf: 15 µsec - PV max: 75 mW @ 25 °C - Temp. Bereich: -25 … 85 °C - Gehäuse: 4,5 x 5,7 x1,5 mm mit Seitenlinse 1,5 mm - Montage: THT
