Beschreibung
Ferroelektrischer RAM-Speicher (FRAM) ist dynamischem RAM-Speicher sehr ähnlich, nur mit einer ferroelektrischen Schicht anstatt einer dielektrischen. Das I²C-FRAM-Breakout-Board eignet sich hervorragend für Niederleistungsanwendungen oder Anwendungen mit unbeständiger Spannungsversorgung zum Daten loggen bzw. Daten puffern. Speziell dieser FRAM-Chip verfügt über 32 kByte Speicher und I²C-Schnittstellen mit einer Taktfrequenz von bis zu 1 MHz. Wie beim SRAM, kann jedes Byte unmittelbar 10 Billionen mal gelesen und geschrieben werden, sondern hält den Speicher 95 Jahre bei Zimmertemperatur. Dieser Chip kann mit 3 V oder 5 V Versorgungspannung und Logikspannung betrieben werden. Der Speicher ist Steckbrett-freundlich ausgeführt mit einem 2,54 mm Raster zum anlöten einer Stiftleiste.
