NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13007,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13007,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
  • Hersteller: NXP SEMICONDUCTORS
  • Bewertung schreiben
  • Preisalarm
    voelkner - direkt günstiger
    Es ist ein Fehler aufgetreten.
    Preisalarm
    Benachrichtigung erhalten, wenn folgender Preis erreicht ist: Benachrichtigung soll aktiv sein für:
    Benachrichtigung per E-Mail senden an: Bitte geben Sie eine gültige E-Mail-Adresse an.
    Preisalarm ist aktiviert! Wir schicken Ihnen eine E-Mail, sobald Ihr Wunschpreis erreicht wurde.
  • Merken
NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13007,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN Abbildung ähnlich
NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13007,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
momentan nicht bestellbar
Es ist ein Fehler aufgetreten.
Benachrichtigung soll aktiv sein für: Benachrichtigung per E-Mail senden an:
Bitte geben Sie eine gültige E-Mail-Adresse an.
Benachrichtigung ist aktiviert!
Wir schicken Ihnen eine E-Mail, sobald der Artikel wieder verfügbar ist.
Hinweis: Sollte der Artikel innerhalb Ihres gewünschten Zeitraumes nicht wieder verfügbar sein, wird Ihre Anfrage gelöscht.
momentan nicht bestellbar
Es ist ein Fehler aufgetreten.
Benachrichtigung soll aktiv sein für: Benachrichtigung per E-Mail senden an:
Bitte geben Sie eine gültige E-Mail-Adresse an.
Benachrichtigung ist aktiviert!
Wir schicken Ihnen eine E-Mail, sobald der Artikel wieder verfügbar ist.
Hinweis: Sollte der Artikel innerhalb Ihres gewünschten Zeitraumes nicht wieder verfügbar sein, wird Ihre Anfrage gelöscht.

Alles auf einen Klick

Produktdaten

Beschreibung

Keine Beschreibung vorhanden.

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

NXP Semiconductors, PHE13007, 127, 568-9756-5-ND

Art.-Nr.:
Q929511
Hersteller-Nr.:
PHE13007,127
EAN:
2050003465922

Technische Daten

Typ:
PHE13007,127
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
8 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
400 V
VCE Sättigung (max.):
350 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
200 µA
Ptot:
80 W
DC Stromverstärkung (hFE):
8
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
2 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Montageart:
Durchführungsloch
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret
Marke:
NXP Semiconductors

Vom Hersteller bereitgestellte Informationen

Bewertungen

Es liegen noch keine Bewertungen vor.
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
voelkner - direkt günstiger
Datenschutzeinstellungen

Wir benötigen für einzelne Datennutzungen Ihre Einwilligung, um Ihnen unter anderem Informationen zu Ihren Interessen anzuzeigen. Mit Klick auf "OK" geben Sie Ihre Einwilligung dazu. Ausführliche Informationen erhalten Sie in unserer Datenschutzerklärung.

Sie haben jederzeit die Möglichkeit Ihrer Zustimmung zu widersprechen. Ich lehne ab.

Alle akzeptieren
{{#if results}}
{{/if}}