Vishay SI2319DS-T1-E3 MOSFET 1 P-Kanal 750mW SOT-23-3

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Vishay, SI2319DS-T1-E3, SI2319DS-T1-E3CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

Art.-Nr.:
S04273
Hersteller-Nr.:
SI2319DS-T1-E3
EAN:
2050003223706

Technische Daten

Typ:
SI2319DS-T1-E3
Gehäuse:
SOT-23-3
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
2.3 A
U:
40 V
Ptot:
750 mW
RDS(on):
82 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
17 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
470 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
20 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
40 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Produkt-Art:
MOSFET
Marke:
Vishay

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