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NXP Semiconductors Z-Diode C6,2V YY Gehäuseart (Halbleiter) SOD-110 Zener-Spannung 6.2 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW Tape cut

  • Hersteller: NXP SEMICONDUCTORS
  • Art.-Nr.: Q16129
NXP Semiconductors Z-Diode C6,2V YY Gehäuseart (Halbleiter) SOD-110 Zener-Spannung 6.2 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW Tape cut Abbildung ähnlich
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  • Produktbeschreibung

    Beschreibung

    Keramikgehäuse.

    Stichwörter

    NXP Semiconductors, C6, 2V YY, C6, 2V YY, z diode, z-diode, zener diode, zenerdiode, zener-diode, zdiode, Diode, Dioden, PN-Übergang, p-n-übergang, el diodo, diodo, diodé, halbleiterdiode, halbleiter-diode, spannungs-stalilisier-dopde, zehner, zener, zenerspannung, zener-spannung, sperdiode

    NXP Semiconductors Z-Diode C6,2V YY Gehäuseart (Halbleiter) SOD-110 Zener-Spannung 6.2 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW Tape cut Abbildung ähnlich
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