Beschreibung
Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 75mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id: 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 123 nC @ 10 V
Vgs (Max.): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 2159 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.): 214W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten: TO-247AC
Gehäuse / Hülle: TO-247-3
Basis-Produktnummer: IRFP250
