Infineon - IRFP250MPBF - MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC

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Produktbeschreibung

Hersteller: Infineon Technologies

Serie: HEXFET®

FET-Typ: N-Kanal

Technologie: MOSFET (Metalloxid)

Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V

Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 30 A (Tc)

Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 10V

Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 75mOhm bei 18A, 10V

Vgs(th) (max.) bei Id: 4V bei 250µA

Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 123 nC @ 10 V

Vgs (Max.): ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 2159 pF @ 25 V

Verlustleistung (max.): 214W (Tc)

Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)

Gehäusetyp vom Lieferanten: TO-247AC

Gehäuse / Hülle: TO-247-3

Basis-Produktnummer: IRFP250