Nexperia Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung PDTA114ET,215 TO-236-3 1 PNP - vorgespannt

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Art.-Nr.:
Q922571
Hersteller-Nr.:
PDTA114ET,215
EAN:
2050003469883
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nexperia, PDTA114ET, 215, 568-6425-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
PDTA114ET,215
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
nexperia
Herst.-Abk.:
NEX
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle:
1
Ausführung:
PNP - vorgespannt
IC:
-100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
-50 V
VCE Sättigung (max.):
-150 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
-1 µA
Ptot:
250 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
-5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
-5 V
Widerstand R(1):
10 kΩ
Widerstand R(2):
10 kΩ
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
nexperia

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