Nexperia Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung PDTC114ET,235 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt

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Art.-Nr.:
Q922991
Hersteller-Nr.:
PDTC114ET,235
EAN:
2050003469791

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nexperia, PDTC114ET, 235, 568-8256-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
PDTC114ET,235
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
nexperia
Herst.-Abk.:
NEX
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN - vorgespannt
IC:
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
VCE Sättigung (max.):
150 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
1 µA
Ptot:
250 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
230 MHz
Widerstand R(1):
10 kΩ
Widerstand R(2):
10 kΩ
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
nexperia

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