NXP Semiconductors Z-Diode BZV85-C10,133 Gehäuseart (Halbleiter) Axial Zener-Spannung 10 V Leistung

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NXP Semiconductors Z-Diode BZV55-C5V1,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF Zener-Spannung 5. NXP Semiconductors 0,16 0,12 0,11 0,18
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Art.-Nr.:
Q992431
Hersteller-Nr.:
BZV85-C10,133
EAN:
2050003436410

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NXP Semiconductors, BZV85-C10, 133, 568-11016-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BZV85-C10,133
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
10 V
Z.-Spg. Toleranz:
5 + -5 %
Ptot:
1.3 W
Impedanz:
8 Ω
Impedanz Referenz:
25 mA
UF:
1 V
Durchlassspannung Referenz:
50 mA
Betriebstemperatur (min.):
-65 °C
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
200 nA
Rest-Sperrstrom Referenz:
7 V
Z.-Spg. max.:
10.5 V
Z.-Spg. min.:
9.5 V
Gehäuse:
Axial
Montageart:
Durchführungsloch
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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