NXP Semiconductors Z-Diode BZV55-C4V3,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF Zener-Spannung 4.

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Art.-Nr.:
Q995991
Hersteller-Nr.:
BZV55-C4V3,115
EAN:
2050003434775

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NXP Semiconductors, BZV55-C4V3, 115, 568-6265-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BZV55-C4V3,115
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
4.3 V
Z.-Spg. Toleranz:
5 + -5 %
Ptot:
500 mW
Impedanz:
90 Ω
Impedanz Referenz:
5 mA
UF:
900 mV
Durchlassspannung Referenz:
10 mA
Betriebstemperatur (min.):
-65 °C
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
3 µA
Rest-Sperrstrom Referenz:
1 V
Z.-Spg. max.:
4.5 V
Z.-Spg. min.:
4.1 V
Gehäuse:
SOD-80 MiniMELF
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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