Vishay MOSFET SI4134DY-T1-GE3 1 N-Kanal 5 W SOIC-8

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Art.-Nr.:
S04251
Hersteller-Nr.:
SI4134DY-T1-GE3
EAN:
2050003223867

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Vishay, SI4134DY-T1-GE3, SI4134DY-T1-GE3CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
SI4134DY-T1-GE3
Gehäuse:
SOIC-8
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
14 A
U:
30 V
Ptot:
5 W
R(DS)(on):
14 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
23 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
846 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
TrenchFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Vishay

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