Vishay MOSFET SI2323DS-T1-E3 1 P-Kanal 750 mW SOT-23-3

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Art.-Nr.:
S04274
Hersteller-Nr.:
SI2323DS-T1-E3
EAN:
2050003223713

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Vishay, SI2323DS-T1-E3, SI2323DS-T1-E3CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
SI2323DS-T1-E3
Gehäuse:
SOT-23-3
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
3.7 A
U:
20 V
Ptot:
750 mW
R(DS)(on):
39 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
4.5 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
19 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
1020 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
TrenchFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
20 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Vishay

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