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Vishay IRF830ASPBF MOSFET 1 N-Kanal 3.1W TO-263-3

Vishay IRF830ASPBF MOSFET 1 N-Kanal 3.1W TO-263-3
  • Hersteller: VISHAY
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Vishay, IRF830ASPBF, IRF830ASPBF-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)
Art.-Nr.:
S04921
Hersteller-Nr.:
IRF830ASPBF
EAN:
2050003222242

Technische Daten

Typ:
IRF830ASPBF
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Vishay
Herst.-Abk.:
VIS
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
5 A
U:
500 V
Ptot:
3.1 W
RDS(on):
1.4 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
24 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
620 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
500 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Produkt-Art:
MOSFET
Marke:
Vishay

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