STMicroelectronics MOSFET STP10N60M2 1 N-Kanal 85 W TO-220

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Art.-Nr.:
S81420
Hersteller-Nr.:
STP10N60M2
EAN:
2050003209915

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STMicroelectronics, STP10N60M2, 497-13970-5-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
STP10N60M2
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
STMicroelectronics
Herst.-Abk.:
STM
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
7.5 A
U:
600 V
Ptot:
85 W
R(DS)(on):
600 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
13.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
400 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
100 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
MDmesh™ II Plus
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
600 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
STMicroelectronics

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