MOSFET Infineon Technologies IRFP90N20DPBF 1 N-Kanal 580 W TO-247-3

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Art.-Nr.:
S81741
Hersteller-Nr.:
IRFP90N20DPBF
EAN:
2050003203616
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Infineon Technologies, IRFP90N20DPBF, International Rectifier, IRFP90N20DPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFP90N20DPBF
Gehäuse:
TO-247-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
94 A
U:
200 V
Ptot:
580 W
R(DS)(on):
23 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
56 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
270 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
6040 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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