MOSFET Infineon Technologies IRFB4127PBF 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

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Art.-Nr.:
S81758
Hersteller-Nr.:
IRFB4127PBF
EAN:
2050003203159

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Infineon Technologies, IRFB4127PBF, International Rectifier, IRFB4127PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: TO-220AB
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFB4127PBF
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 5380 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V
I(d): 76 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 375 W
Q(G): 150 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 20 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 44 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 200 V
U(GS)(th) max.: 5 V
U: 200 V
RoHS-konform: Ja

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