MOSFET Infineon Technologies IRF7342PBF 2 P-Kanal 2 W SOIC-8

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Art.-Nr.:
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Hersteller-Nr.:
IRF7342PBF
EAN:
2050003202831

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Infineon Technologies, IRF7342PBF, International Rectifier, IRF7342PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF7342PBF
Gehäuse:
SOIC-8
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
3.4 A
U:
55 V
Ptot:
2 W
R(DS)(on):
105 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
38 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
690 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
55 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
2
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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