DIODES Incorporated MOSFET ZXMN6A11ZTA 1 N-Kanal 1.5W SOT-89-3

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Art.-Nr.:
S82862
Hersteller-Nr.:
ZXMN6A11ZTA
EAN:
2050003199926

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Beschreibung

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Stichwörter

DIODES Incorporated, ZXMN6A11ZTA, ZXMN6A11ZCT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
ZXMN6A11ZTA
Gehäuse:
SOT-89-3
Hersteller:
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.:
DIn
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
2.7 A
U:
60 V
Ptot:
1.5 W
R(DS)(on):
120 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
2.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
5.7 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
330 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
40 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
DIODES Incorporated

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