DIODES Incorporated MOSFET MMBF170-7-F 1 N-Kanal 300mW SOT-23-3

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Art.-Nr.:
S82370
Hersteller-Nr.:
MMBF170-7-F
EAN:
2050003198226

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Stichwörter

DIODES Incorporated, MMBF170-7-F, MMBF170-FDICT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
MMBF170-7-F
Gehäuse:
SOT-23-3
Hersteller:
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.:
DIn
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
500 mA
U:
60 V
Ptot:
300 mW
R(DS)(on):
5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
200 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
C(ISS):
40 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
DIODES Incorporated

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