DIODES Incorporated MOSFET 2N7002W-7-F 1 N-Kanal 200 mW SOT-323

DIODES Incorporated MOSFET 2N7002W-7-F 1 N-Kanal 200 mW SOT-323
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DIODES Incorporated MOSFET ZVN2106A 1 N-Kanal 700 mW TO-92-3 DIODES Incorporated 0,80 0,79 0,78 0,76
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Art.-Nr.:
S36271
Hersteller-Nr.:
2N7002W-7-F
EAN:
2050003195225

Produktdaten

Beschreibung

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DIODES Incorporated, 2N7002W-7-F, 2N7002W-FDICT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
2N7002W-7-F
Gehäuse:
SOT-323
Hersteller:
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.:
DIn
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
115 mA
U:
60 V
Ptot:
200 mW
R(DS)(on):
7.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
50 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
5 V
U(GS)(th) max.:
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
C(ISS):
50 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
DIODES Incorporated

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