Fairchild Semiconductor MOSFET FQP55N10 1 N-Kanal 155 W TO-220-3

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Art.-Nr.:
A815931
Hersteller-Nr.:
FQP55N10
EAN:
2050002649095

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FQP55N10, FQP55N10-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FQP55N10
Gehäuse:
TO-220-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
55 A
U:
100 V
Ptot:
155 W
R(DS)(on):
26 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
27.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
98 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
2730 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
QFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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