ON Semiconductor FDS6900AS MOSFET 2 N-Kanal 900mW SOIC-8

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  • Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
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Stichwörter

ON Semiconductor, FDS6900AS, FDS6900ASCT-ND, Fairchild, Fairchild Semiconductor

Art.-Nr.:
A820251
Hersteller-Nr.:
FDS6900AS
EAN:
2050002646261

Technische Daten

Typ:
FDS6900AS
Gehäuse:
SOIC-8
Hersteller:
ON Semiconductor
Herst.-Abk.:
OnS
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
6.9 + 8.2 A
U:
30 V
Ptot:
900 mW
RDS(on):
27 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
6.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
15 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
600 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
PowerTrench® + SyncFET™
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
2
Produkt-Art:
MOSFET
Marke:
ON Semiconductor

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