Fairchild Semiconductor MOSFET FDP55N06 1 N-Kanal 114 W TO-220-3

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Art.-Nr.:
A826911
Hersteller-Nr.:
FDP55N06
EAN:
2050002645080

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDP55N06, FDP55N06-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDP55N06
Gehäuse:
TO-220-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
55 A
U:
60 V
Ptot:
114 W
R(DS)(on):
22 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
27.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
37 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1510 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
UniFET™
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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