Fairchild Semiconductor MOSFET FDD6612A 1 N-Kanal 1.3 W TO-252-3

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Art.-Nr.:
A821591
Hersteller-Nr.:
FDD6612A
EAN:
2050002641150

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Fairchild Semiconductor, FDD6612A, FDD6612ACT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
FDD6612A
Gehäuse:
TO-252-3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Herst.-Abk.:
FSC
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
9.5 + 30 A
U:
30 V
Ptot:
1.3 W
R(DS)(on):
20 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
9.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
9.4 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
C(ISS):
660 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
PowerTrench®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Fairchild Semiconductor

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