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Infineon Technologies IRF6644TR1PBF MOSFET 1 N-Kanal 2.8W DirectFET™

Infineon Technologies IRF6644TR1PBF MOSFET 1 N-Kanal 2.8W DirectFET™
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Art.-Nr.: Q89511
EAN: 2050001542779
Hersteller-Nr.: IRF6644TR1PBF

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF6644TR1PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF6644TR1PBF
Gehäuse:
DirectFET™
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
10.3 + 60 A
U:
100 V
Ptot:
2.8 W
RDS(on):
13 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
10.3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
150 µA
Q(G):
47 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
2210 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-40 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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