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Art.-Nr.: Q89531
EAN: 2050001542878
Hersteller-Nr.: IRF6710S2TR1PBF

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Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF6710S2TR1PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF6710S2TR1PBF
Gehäuse:
DirectFET™
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
12 + 37 A
U:
25 V
Ptot:
1.8 W
RDS(on):
5.9 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
12 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
25 µA
Q(G):
13 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
1190 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
13 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
25 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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