MOSFET Infineon Technologies IRLR2905ZPBF 1 N-Kanal 110 W DPAK

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MOSFET Infineon Technologies IRFS4321PBF 1 N-Kanal 350 W D2PAK Infineon Technologies 3,88 € 3,88 € 3,87 € 3,86 € 3,84 €
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MOSFET Infineon Technologies IRLML0100TRPBF 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,19 € 0,19 € 0,18 € 0,17 € 0,15 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML2030TRPBF 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,12 € 0,12 € 0,12 € 0,10 € 0,09 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML2060TRPBF 1 N-Kanal 1.25 W SOT-23 Infineon Technologies 0,20 € 0,20 € 0,19 € 0,17 € 0,16 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML2244TRPBF 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,20 € 0,20 € 0,18 € 0,17 € 0,16 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML2246TRPBF 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,14 € 0,14 € 0,14 € 0,12 € 0,10 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML6244TRPBF 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,16 € 0,16 € 0,16 € 0,14 € 0,12 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML6246TRPBF 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,14 € 0,14 € 0,14 € 0,12 € 0,10 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML6344TRPBF 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,16 € 0,16 € 0,16 € 0,14 € 0,12 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML6346TRPBF 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,14 € 0,14 € 0,14 € 0,12 € 0,10 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML9301TRPBF 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23 Infineon Technologies 0,16 € 0,16 € 0,16 € 0,14 € 0,12 €
MOSFET Infineon Technologies IRLML9303TRPBF 1 P-Kanal 1.25 W SOT-23 Infineon Technologies 0,14 € 0,14 € 0,14 € 0,12 € 0,10 €
MOSFET Infineon Technologies IRLR3110ZPBF 1 N-Kanal 140 W DPAK Infineon Technologies 1,05 € 1,05 € 1,04 € 1,03 € 1,02 €
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Art.-Nr.:
Q89906
Hersteller-Nr.:
IRLR2905ZPBF
EAN:
2050001542373

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRLR2905ZPBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRLR2905ZPBF
Gehäuse:
DPAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
42 A
U:
55 V
Ptot:
110 W
R(DS)(on):
13.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
36 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
C(ISS):
1570 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
55 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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