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Infineon Technologies IRFS4321PBF MOSFET 1 N-Kanal 350W D2PAK

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Art.-Nr.: Q89991
EAN: 2050001541635
Hersteller-Nr.: IRFS4321PBF

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFS4321PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFS4321PBF
Gehäuse:
D2PAK
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
85 A
U:
150 V
Ptot:
350 W
RDS(on):
15 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
33 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
4460 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
150 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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