MOSFET Infineon Technologies IRF1324PBF 1 N-Kanal 300 W TO-220AB

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Art.-Nr.:
Q87689
Hersteller-Nr.:
IRF1324PBF
EAN:
2050001539755

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF1324PBF, International Rectifier, IRF1324PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF1324PBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
195 A
U:
24 V
Ptot:
300 W
R(DS)(on):
1.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
195 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
240 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
7590 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
24 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
24 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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