MOSFET Infineon Technologies IRFHM9331TR2PBF 1 P-Kanal 2.8 W PQFN 3x3

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Art.-Nr.:
Q89775
Hersteller-Nr.:
IRFHM9331TR2PBF
EAN:
2050001541017

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFHM9331TR2PBF, International Rectifier, IRFHM9331TR2PBFTR-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFHM9331TR2PBF
Gehäuse:
PQFN 3x3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
11 + 24 A
U:
30 V
Ptot:
2.8 W
R(DS)(on):
10 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
11 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
20 V
U(GS)(th) max.:
2.4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
25 µA
Q(G):
48 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1543 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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