MOSFET Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF 1 N-Kanal 3.2 W PQFN 5x6

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Art.-Nr.:
Q87008
Hersteller-Nr.:
IRFH8337TR2PBF
EAN:
2050001540942

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFH8337TR2PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFH8337TR2PBF
Gehäuse:
PQFN 5x6
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
12 + 35 A
U:
30 V
Ptot:
3.2 W
R(DS)(on):
12.8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
16.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
25 µA
Q(G):
10 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
790 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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