MOSFET Infineon Technologies IRFB3307ZPBF 1 N-Kanal 230 W TO-220AB

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Art.-Nr.:
Q87054
Hersteller-Nr.:
IRFB3307ZPBF
EAN:
2050001540386

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFB3307ZPBF, International Rectifier, IRFB3307ZPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFB3307ZPBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
120 A
U:
75 V
Ptot:
230 W
R(DS)(on):
5.8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
150 µA
Q(G):
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
4750 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
50 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
75 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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