MOSFET Infineon Technologies IRF3709ZPBF 1 N-Kanal 79 W TO-220AB

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Art.-Nr.:
Q87643
Hersteller-Nr.:
IRF3709ZPBF
EAN:
2050001539892

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF3709ZPBF, International Rectifier, IRF3709ZPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF3709ZPBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
87 A
U:
30 V
Ptot:
79 W
R(DS)(on):
6.3 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
21 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.25 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
26 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
C(ISS):
2130 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
15 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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