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Art.-Nr.:
Q87466
Hersteller-Nr.:
IXFH24N80P
EAN:
2050001395375

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

IXYS, IXFH24N80P, polar-n-kanal-mosfet, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IXFH24N80P
Gehäuse:
TO-247AD
Hersteller:
IXYS
Herst.-Abk.:
IXY
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
24 A
U:
800 V
Ptot:
650 W
R(DS)(on):
400 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
12 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
4 mA
Q(G):
105 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
7200 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
HiPerFET™ + PolarHT™
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
800 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
IXYS

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