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Art.-Nr.:
Q87406
Hersteller-Nr.:
IXFN32N120P
EAN:
2050001395443

Produktdaten

Beschreibung

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Hinweise:
Eventuell abweichend zum Herstellerdatenblatt erfolgt die Lieferung grundsätzlich ohne Anschluss-Schrauben, da deren Länge von der jeweiligen Applikation abhängig ist. Die Schrauben in passender Länge mit Federring und Scheibe bitte separat mitbestellen.

Stichwörter

IXYS, IXFN32N120P, polar-n-kanal-mosfet, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IXFN32N120P
Gehäuse:
SOT-227B
Hersteller:
IXYS
Herst.-Abk.:
IXY
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
32 A
U:
1200 V
Ptot:
1000 W
R(DS)(on):
310 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
500 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
6.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
1 mA
Q(G):
360 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
21000 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Gehäuse
Serie:
Polar™
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
1200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
IXYS

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