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Art.-Nr.:
Q87446
Hersteller-Nr.:
IXFN360N15T2
EAN:
2050001395290

Produktdaten

Beschreibung

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Hinweise:
Eventuell abweichend zum Herstellerdatenblatt erfolgt die Lieferung grundsätzlich ohne Anschluss-Schrauben, da deren Länge von der jeweiligen Applikation abhängig ist. Die Schrauben in passender Länge mit Federring und Scheibe bitte separat mitbestellen.

Stichwörter

IXYS, IXFN360N15T2, trench-mosfet, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IXFN360N15T2
Gehäuse:
SOT-227B
Hersteller:
IXYS
Herst.-Abk.:
IXY
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
310 A
U:
150 V
Ptot:
1070 W
R(DS)(on):
4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
60 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
8 mA
Q(G):
715 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
47500 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Gehäuse
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
GigaMOS™
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
150 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
IXYS

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