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Toshiba Transistor (BJT) - diskret S2000N TO-3PIS 1 NPN

Toshiba Transistor (BJT) - diskret S2000N TO-3PIS 1 NPN
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Art.-Nr.: Q86617
EAN: 2050000055720
Hersteller-Nr.: S2000N

Produktdaten

Beschreibung

Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = FRE.

Stichwörter

Toshiba, S2000N, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
S2000N
Gehäuse:
TO-3PIS
Hersteller:
Toshiba
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
8 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
5 V
VCE Sättigung (max.):
5 V
Ptot:
50 W
DC Stromverstärkung (hFE):
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
1 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
2 MHz
Montageart:
Durchführungsloch
Marke:
Toshiba

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