ROHM Semiconductor Z-Diode PTZTE255.6B Gehäuseart (Halbleiter) SOD-106 Zener-Spannung 5.856 V Leist

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Art.-Nr.:
Q17811
Hersteller-Nr.:
PTZTE255.6B
EAN:
2050001282842
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Stichwörter

ROHM Semiconductor, PTZTE255.6B, PTZTE255.6BCT-ND, z diode, z-diode

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
PTZTE255.6B
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.:
ROH
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
5.856 V
Z.-Spg. Toleranz:
6 + -6 %
Ptot:
1000 mW
Impedanz:
8 Ω
Impedanz Referenz:
40 mA
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
20 µA
Z.-Spg. max.:
6.3 V
Z.-Spg. min.:
5.6 V
Gehäuse:
SOD-106
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
ROHM Semiconductor

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