ROHM Semiconductor Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt

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Art.-Nr.:
Q17388
Hersteller-Nr.:
IMH11AT110
EAN:
2050001282163

Produktdaten

Beschreibung

Doppel Transistor.

Stichwörter

ROHM Semiconductor, IMH11AT110, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IMH11AT110
Gehäuse:
SMT6
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.:
ROH
Kategorie:
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle:
2
Ausführung:
NPN - vorgespannt
IC:
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
VCE Sättigung (max.):
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
500 nA
Ptot:
300 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
250 MHz
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
ROHM Semiconductor

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