Transistor Hexfet Irlr120n D-Pak

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Art.-Nr.:
Q85613
Hersteller-Nr.:
IRLR120N
EAN:
2050000044526
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Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRLR120N, International Rectifier, IRLR120NPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRLR120N
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
10 A
Ptot:
48 W
R(DS)(on):
185 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
20 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
C(ISS):
440 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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