MOSFET Infineon Technologies IRFL4105PBF 1 N-Kanal 1W SOT-223

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Art.-Nr.:
Q85827
Hersteller-Nr.:
IRFL4105PBF
EAN:
2050000042799

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFL4105PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFL4105PBF
Gehäuse:
SOT-223
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
3.7 A
Ptot:
1 W
R(DS)(on):
45 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
660 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
55 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
RDS(on):
0.045 Ω
Marke:
Infineon Technologies

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