Transistor Hexfet Irfd9120 Hexdip

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Art.-Nr.:
Q85309
Hersteller-Nr.:
IRFD9120PBF
EAN:
2050000042461

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFD9120PBF, IRFD9120PBF, International Rectifier, IRFD9120PBF-ND, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor, unipolar transistor, field-effect transistor, MOSFET, mos-fet, metal oxide semiconductor, transistor MOS, transistor à ef

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: HEXDIP
Ausführung: P-Kanal
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFD9120PBF
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 390 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 1 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 1.3 W
Q(G): 18 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 600 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 600 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 100 V
U(GS)(th) max.: 4 V
RoHS-konform: Ja

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