Transistor Hexfet Irfbf30 To-220

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Art.-Nr.:
Q85348
Hersteller-Nr.:
IRFBF30PBF
EAN:
2050000042348

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFBF30PBF, International Rectifier, IRFBF30PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFBF30PBF
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
3.6 A
Ptot:
125 W
R(DS)(on):
3.7 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
2.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
78 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1200 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
900 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies
RDS(on):
3.7 Ω

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